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近红外赋能半导体精准蚀刻|10秒钟快速分析混酸含量

在半导体芯片制造的精密蚀刻与清洗环节,磷酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、乙酸等组成的混酸溶液是至关重要的工艺化学品,其浓度的微小偏差都可能导致晶圆刻蚀速率不均、线宽失控乃至产品报废。


传统方法的分析周期长达半小时以上,严重滞后于生产工艺,无法实现实时调控,已成为提升良率与效率的瓶颈。


近红外光谱技术则为这一核心质控环节带来了颠覆性的变革,助力半导体制造向智能化与精准化迈进。

技术优势

快检技术 仅需10秒

将分析时间从 30+分钟 缩短至 10秒,消除了试剂消耗与废液处理问题,特别适用于高通量质检与生产线上实时监控。

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瑞士万通 OMNIS 奥秘一代近红外光谱仪凭借其更快速、更简单、更高效的技术亮点,在复杂混酸体系的定量分析中展现出强大实力。 它不仅是对传统分析方法的重要补充,更是工业4.0时代下,实现过程分析技术的理想工具,为提升生产工艺控制水平与产品质量提供了强有力的技术支撑。

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